江阴长电先进封装有限公司
企业简介

江阴长电先进封装有限公司 main business:开发,生产半导体芯片凸块及其封装测试后的产品,销售自产产品,并提供相关的技术服务 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 高新技术产业开发园区(澄江东路99号).

If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.

江阴长电先进封装有限公司的工商信息
  • 320281400000807
  • 91320281753943521E
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(台港澳与境内合资)
  • 2003年10月30日
  • 赖志明
  • 5100.000000
  • 2003年10月30日 至 2023年10月29日
  • 江阴市市场监督管理局
  • 2017年02月27日
  • 江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号)
  • 开发、生产半导体芯片凸块及其封装测试后的产品,并提供相关的技术服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
江阴长电先进封装有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 公司网站 http://www.jcap.cn/
江阴长电先进封装有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 15551670 JLUM 2014-10-22 智能卡(集成电路卡);光通讯设备;半导体器件;晶体管(电子);集成电路;电子芯片;传感器;半导体;发光二极管(LED);芯片(集成电路); 查看详情
2 13699961 JCAP 2013-12-11 半导体及相关产品的技术研究与开发(替他人);质量检测;半导体及相关产品的质量检验;技术项目研究;半导体及相关产品的质量鉴定;材料测试;半导体封装设计; 查看详情
3 13699962 JCAP 2013-12-11 集成电路蚀刻加工处理;定做材料装配(替他人);依客户委托及指示的规格定制基板、半导体、集成电路、集成电路板和晶圆(替他人);基板加工制造;芯片加工;芯片加工;半导体晶圆级加工处理;集成电路蚀刻加工处理;基板加工制造;半导体芯片级加工处理; 查看详情
4 4253266 JCAP 2004-09-06 集成电路;半导体器件;晶体管(电子);晶片(锗片);商品电子标签;集成电路卡;传感器;电测量仪器;光通讯设备;导航仪器 查看详情
江阴长电先进封装有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN103681539B 一种集成共模电感的封装结构及其封装方法 2016.06.08 本发明一种集成共模电感的封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括上下分布、绕制方向、匝数
2 CN2854804Y 新型微米级芯片尺寸封装散热结构 2007.01.03 本实用新型涉及一种新型微米级芯片尺寸封装散热结构,是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片,或圆片级芯
3 CN104112811B 一种LED的封装方法 2016.08.17 本发明公开了一种LED的封装方法,属于半导体封装技术领域。本发明多次以铁箔(8)作为导电层进行高精度
4 CN201402803Y 新型孤岛型再布线芯片封装结构 2010.02.10 本实用新型涉及一种新型孤岛型再布线芯片封装结构,属芯片封装技术领域。它包括芯片本体(101)、芯片电
5 CN100403527C 微米级芯片尺寸封装散热结构 2008.07.16 本发明涉及一种微米级芯片尺寸封装散热结构,是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片,或圆片级芯片尺寸封
6 CN104409373B 一种用于凸块晶圆的贴片机 2017.03.29 本发明公开了一种用于bump wafer的贴片机,属于半导体封装技术领域。其包括承载待贴片的bump
7 CN106531700A 一种芯片封装结构及其封装方法 2017.03.22 本发明涉及一种芯片封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体和芯片电极,所述硅基本
8 CN104538529B 一种LED封装结构及其晶圆级封装方法 2017.03.22 本发明公开了一种低成本的LED封装结构及其晶圆级封装方法,属于半导体封装技术领域。其LED芯片(1)
9 CN103779257B 一种防止晶圆放置时发生漂移的热板 2017.03.15 本发明公开了一种防止晶圆放置时发生漂移的热板,属于半导体设备工装技术领域。其热板本体(10)设有贯通
10 CN103872003B 一种提高产品可靠性的凸块结构及其制备方法 2017.02.22 本发明公开了一种提高产品可靠性的凸块结构及其制备方法,属于半导体封装技术领域。本发明包括表面设置有芯
11 CN106373939A 一种封装基板的结构及其封装方法 2017.02.01 本发明涉及一种封装基板的结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括普通基板(20)、超高密度基
12 CN106373938A 一种混合密度封装基板的结构及其封装方法 2017.02.01 本发明涉及一种混合密度封装基板的结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括普通基板(20)、超
13 CN104037133B 一种圆片级芯片扇出封装方法及其封装结构 2017.01.11 本发明公开了一种圆片级芯片扇出封装方法及其封装结构,属于半导体封装技术领域。其首先在硅晶圆上刻蚀浅硅
14 CN104037305B 一种低热阻的晶圆级LED封装方法及其封装结构 2016.11.23 本发明公开了一种低热阻的晶圆级LED封装方法及其封装结构,属于半导体封装技术领域。其在硅基本体(1)
15 CN205376504U 一种侧边润湿的圆片级芯片封装结构 2016.07.06 本实用新型公开了一种侧边润湿的圆片级芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有若干个
16 CN205303448U 一种芯片封装结构 2016.06.08 本实用新型涉及一种芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体(1)和芯片电极(11),所述
17 CN205303447U 一种指纹识别传感器的封装结构 2016.06.08 本实用新型公开了一种指纹识别传感器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片(2)由背
18 CN105633032A 一种指纹识别传感器的封装结构 2016.06.01 本发明公开了一种指纹识别传感器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片(2)由背面嵌
19 CN105552043A 一种指纹识别传感器的封装结构 2016.05.04 本发明公开了一种指纹识别传感器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片由背面嵌入包封
20 CN205194692U 一种芯片嵌入式垂直封装结构 2016.04.27 本实用新型公开了一种芯片嵌入式垂直封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体,一个
21 CN103646941B 一种用于直流-直流转换器的封装结构 2016.04.27 本发明涉及一种用于直流-直流转换器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括设置于硅片基底(100)
22 CN105489577A 一种侧边润湿的圆片级芯片封装结构 2016.04.13 本发明公开了一种侧边润湿的圆片级芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有若干个芯片
23 CN103618041B 一种ESD保护的LED封装结构及其封装方法 2016.03.30 本发明涉及一种ESD保护的LED封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。ESD保护的LED封装
24 CN205122579U 一种芯片嵌入式封装结构 2016.03.30 本实用新型公开了一种芯片嵌入式封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体,所述芯片
25 CN103337586B 一种无硅基的圆片级LED封装方法 2016.03.30 本发明涉及一种无硅基的圆片级LED封装方法,属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下:提供带有导电电极
26 CN205122562U 一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构 2016.03.30 本实用新型公开了一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包
27 CN205122578U 一种无焊球的芯片嵌入式封装结构 2016.03.30 本实用新型公开了一种无焊球的芯片嵌入式封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体,
28 CN205122561U 一种提高芯片可靠性的封装结构 2016.03.30 本实用新型公开了一种提高芯片可靠性的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体,所
29 CN103633237B 一种LED封装结构及其圆片级封装方法 2016.03.30 本发明涉及一种LED封装结构及其圆片级封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体(110)和L
30 CN105405816A 一种指纹识别传感器的封装结构 2016.03.16 本发明公开了一种指纹识别传感器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片由背面嵌入包封
31 CN103400821B 一种表面贴装电感器件及其晶圆级制作方法 2016.02.10 本发明涉及一种表面贴装电感器件及其晶圆级制作方法,属于无源器件制造领域。其包括衬底(110)、一层以
32 CN105304586A 一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构及其封装方法 2016.02.03 本发明公开了一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体
33 CN105304605A 一种芯片嵌入式封装结构及其封装方法 2016.02.03 本发明公开了一种芯片嵌入式封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体,
34 CN105304587A 一种提高芯片可靠性的封装结构及其圆片级制作方法 2016.02.03 本发明公开了一种提高芯片可靠性的封装结构及其圆片级制作方法,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和
35 CN103489852B 一种射频电感的封装结构及其封装方法 2016.01.27 本发明一种射频电感的封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其工艺过程:提供一金属载具(T10
36 CN103227117B 一种硅基转接板的封装方法 2016.01.13 本发明涉及一种硅基转接板的封装方法,属于半导体封装技术领域。一种硅基转接板的封装方法,包括步骤:提供
37 CN105226040A 一种硅基模块的封装结构及其封装方法 2016.01.06 本发明涉及一种硅基模块的封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体、硅基芯片和金属
38 CN204927277U 一种硅基模块的封装结构 2015.12.30 本实用新型涉及一种硅基模块的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体、硅基芯片和金属突起物,
39 CN103777478B 一种非接触式光刻机的晶圆校准水平装置及其应用 2015.12.30 本发明公开了一种非接触式光刻机的晶圆校准水平装置及其应用,属于半导体芯片封装技术领域。晶圆校准水平装
40 CN204927275U 一种低成本的硅基模块的封装结构 2015.12.30 本实用新型涉及一种低成本的硅基模块的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基载体、硅基芯片和金属
41 CN103280508B 一种晶圆级LED封装方法 2015.12.23 本发明涉及一种晶圆级LED封装方法,属于半导体封装技术领域。其方法包括步骤:提供具有正负电极(110
42 CN103354266B 一种薄型圆片级LED的封装结构及其封装方法 2015.12.23 本发明涉及一种薄型圆片级LED的封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括设有电极(110
43 CN201402804Y 新型树脂核心柱芯片封装结构 2010.02.10 本实用新型涉及一种新型树脂核心柱芯片封装结构,属芯片封装技术领域。它包括芯片本体(101)、芯片电极
44 CN105118817A 一种低成本的硅基模块的封装结构及其封装方法 2015.12.02 本发明涉及一种低成本的硅基模块的封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括硅基载体、硅基芯
45 CN204809218U 一种高密度凸块结构 2015.11.25 本实用新型公开了一种高密度凸块结构,属于半导体封装技术领域。其包括芯片本体(101)、芯片电极(10
46 CN204809204U 一种硅通孔互连结构 2015.11.25 本实用新型涉及一种硅通孔互连结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基体(1)和若干个硅通孔(12),
47 CN103413768B 一种用于电子器件封装的硅基转接板的制备方法 2015.11.25 本发明涉及一种用于电子器件封装的硅基转接板的制备方法,属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下:基体(
48 CN103441079B 一种晶圆级高密度布线制备方法 2015.10.28 本发明涉及一种晶圆级高密度布线制备方法,属于半导体封装技术领域。其包括以下工艺过程:提供硅晶圆(10
49 CN105006437A 一种高密度凸块结构的制造方法 2015.10.28 本发明公开了一种高密度凸块结构的制造方法,属于半导体封装技术领域。其公开了两种方案:方案一,该方案通
50 CN103413800B 一种用于电子器件封装的硅基转接板结构 2015.10.28 本发明涉及一种用于电子器件封装的硅基转接板结构,属于半导体封装技术领域。其在基体(110)内设置通孔
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 江阴长电先进封装有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 江阴长电先进封装有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.